论文
2.17GHz 高Q射频薄膜体声波谐振器的研制
第一作者: | 汤亮 |
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英文第一作者: | Chang Liang |
联系作者: | 汤亮 |
英文联系作者: | Chang Liang |
发表年度: | 2008 |
卷: | 27 |
摘要: | 消费娄电子产品和个人通讯系统市场的快速扩张,引起了对无线通信系统(如掌上电脑、手机、导航系统、卫星通信以及各种数据通信)的极大需求。制备高性能、小尺寸、低成本的单芯片射频系统成为目前研究的个热点。薄膜体声波谐振器(H|m Bum Ac。uslic Res衄alor,FBAR)是最近几 年来研究很热的一种采用MEMs技术实现的射频谐振器。它是制作在硅或砷化镓基片L,主要南金属电极/压电薄膜/金属电极构成的一种器件。在某 些特定的频率下,FBAR器件表现出如石英晶振一样的谐振特性,因此可被措建成振荡器或滤渡器应用于现代通讯系统中Il__“。相对于传统用来构成带通滤波器及微波振荡源的Lc振荡器、舟质谐振器及声表面波(sAw)器件而言,FBAR器1串除了具有小尺寸、低功耗,低插^损耗以及高工作频率 (050Hz~lOOIIz)的优点之外,更重要的是它的制备工艺可以与cMOs工艺兼容,因此可与外围电路构成单芯片系统。本文主要研制了一种谐振频率高达2 17GHz的射频薄膜体声波谐振器,其尺寸为I 2x1 2x0 3mm’.0值达到972; |
刊物名称: | 声学技术 |