论文
衬底和O2/Ar气体比例对ZnO薄膜结构及性能的影响
| 第一作者： | 李俊红 |
|---|---|
| 英文第一作者： | Li Junhong |
| 联系作者： | 李俊红 |
| 英文联系作者： | Li Junhong |
| 发表年度： | 2008 |
| 卷： | 39 |
| 摘要： | 采用直流磁控溅射法沉积了ZnO薄膜，以X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜等手段对薄膜的晶体结构和微观相貌进行了分析，并对薄膜的电学性能进行了考察。结果表明：所制备薄膜沿c轴高度择优，并具有较高的电阻率IZnO薄膜的沉积速率扣c轴择优度是由02／At气体比例和衬底共同决定的；Au衬底上的ZnO薄膜以三维生长为主，在Al和Si衬底上出现了不同程度的薄膜二维生长，电阻率随02／Ar气体比例的提高逐渐增加，Si衬底上薄膜的电阻率高于Al和Au衬底上的。 关键词：ZnO；c轴取向；微观结构；电阻率 |
| 刊物名称： | 功能材料 |