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论文题目 |
衬底和O2/Ar气体比例对ZnO薄膜结构及性能的影响 |
论文题目(英文) |
Effect of Substrates and O2/Ar gas ratios on the Structures |
作者 |
李俊红 |
发表年度 |
2008 |
卷 |
39 |
期 |
1 |
页码 |
79-82 |
期刊名称 |
功能材料 |
摘要 |
采用直流磁控溅射法沉积了ZnO薄膜,以X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜等手段对薄膜的晶体结构和微观相貌进行了分析,并对薄膜的电学性能进行了考察。结果表明:所制备薄膜沿c轴高度择优,并具有较高的电阻率IZnO薄膜的沉积速率扣c轴择优度是由02/At气体比例和衬底共同决定的;Au衬底上的ZnO薄膜以三维生长为主,在Al和Si衬底上出现了不同程度的薄膜二维生长,电阻率随02/Ar气体比例的提高逐渐增加,Si衬底上薄膜的电阻率高于Al和Au衬底上的。 关键词:ZnO;c轴取向;微观结构;电阻率 |
摘要_英文 |
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